一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40 GHz 4位单片数字衰减器

• 作者: 孙玲玲 文星 郁发新
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 GaAs pHEMT 数字衰减器
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 固体电子电路技术
• 页码范围: 150-153
• 分类号: TN715|TN454
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.02.005

摘要

介绍了一种超宽带DC-40GHz的4位单片数字衰减器.该衰减器采用0.25 μm砷化镓pHEMT工艺制造.据我所知,这种衰减器是至今国内文献报道中带宽最宽的.它通过采用适当的结构来得到超宽的带宽、低插入损耗以及高衰减精度.该衰减器具有1 dB的衰减步进和15 dB的衰减动态范围,插入损耗在40 GHz时小于5 dB,全衰减态及全频带内的输入输出回波损耗大于12 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	68	213	8.0	9.0
2	郁发新	浙江大学航空航天学院航天电子工程研究所	44	270	7.0	15.0
3	文星	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0