0.5 μm GaAs PHEMT数字衰减器设计

• 作者: 刘会东 孙肖磊 张海英 陈普峰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 微波单片集成电路 宽带 数字衰减器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1801-1803,1807
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.06.025

摘要

采用0.5μm GRAs PHEMT工艺设计了两款工作于1～4 GHz的数字衰减器.一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器.衰减步进0.8 dB.最大衰减量5.6 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-3°～2°之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	陈普峰	中国科学院微电子研究所	5	13	3.0	3.0
3	刘会东	中国科学院微电子研究所	4	16	3.0	4.0
4	孙肖磊	中国科学院微电子研究所	2	7	2.0	2.0