正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤

• 作者: 任迪远 王义元 费武雄 郑玉展 陆妩 陈睿
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: JFET输入运算放大器 正常工作状态 零偏置状态 辐射损伤
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 357-361
• 页数: 5页
• 分类号: TN432|TN722
• 字数: 3630字
• 语种: 中文

摘要

对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验.结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态.高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱.从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释.