沉积功率和气压对低频氮化硅薄膜应力的影响

• 作者: 蒋亚东 袁凯 韩小林 黎威志
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低频PECVD 氮化硅 应力 薄膜生长
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜与光电
• 页码范围: 139-141
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.02.002

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺,在不同射频功率,不同反应气压条件下制备了氮化硅薄膜.研究了低频工艺中氮化硅薄膜的沉积速率、应力以及厚度均匀性与其二者的关系.结果表明,射频功率的改变直接影响到离子对衬底的轰击效应,而反应气压的改变影响气体分子的平均自由程.离子轰击效应和分子平均自由程对氮化硅薄膜的生长过程产生影响,从而影响沉积速率、应力以及厚度均匀性等基本性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
2	黎威志	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	218	9.0	12.0
3	袁凯	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	200	9.0	13.0
4	韩小林	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	10	1.0	1.0