单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质

• 作者: 冯良桓 刘才 孟奕峰 李愿杰 王洪浩 颜璞 黄杨 黎兵
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射法 ZnS薄膜 单带差超晶格 太阳电池
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 611-614
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 2137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2010.03.037

摘要

利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜. 通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件. 此外,对300 ℃和400 ℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比,计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82 eV、3.81 eV,与理论值一致. 这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟奕峰	四川大学材料学院	2	6	1.0	2.0
2	黎兵	四川大学材料学院	44	264	8.0	15.0
3	冯良桓	四川大学材料学院	78	424	10.0	17.0
4	李愿杰	四川大学材料学院	5	17	2.0	4.0
5	黄杨	四川大学材料学院	6	15	2.0	3.0
6	王洪浩	四川大学材料学院	2	6	1.0	2.0
7	刘才	四川大学材料学院	6	20	3.0	4.0
8	颜璞	四川大学材料学院	2	6	1.0	2.0