GaN基SrTiO3薄膜的生长偏转模型和模拟研究

• 作者: 介伟伟 杨春 黄平
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料表面与界面 偏转模型 密度泛函理论 STO/GaN磁电薄膜
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 389-394
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

构建了SrTiO3(STO)薄膜在GaN基底(0001)表面沿不同方向偏转10°、20°、30°、40°和50°具有不同界面结构的生长模型,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法对GaN(0001)表面外延生长不同方向的STO进行了总能量模拟计算.结果表明,在晶格失配小的理想外延方向即[1-10]SrTiO3//[10-10]GaN的能量最高,结构不稳定;而随着STO[1-10]沿GaN[10-10]方向角度的偏转,能量迅速降低,偏转角度为30°时能量最低,即外延关系为[1-10]SrTiO3//[11-20]GaN时最稳定,与实验结果一致.能量计算结果表明,STO/GaN磁电薄膜有利于形成STO-Ti-GaN的界面结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春		89	760	14.0	24.0
2	黄平		16	25	3.0	4.0
3	介伟伟		2	8	1.0	2.0