硼含量对含硼金刚石单晶电学性能的影响

• 作者: 张元培 张娜 李木森 田斌
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 含硼金刚石 碳化硼 高温高压合成 电阻
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 295-298,303
• 分类号: TQ164
• 字数: 2231字
• 语种: 中文

摘要

采用碳化硼添加量不同的铁基触媒,在高温高压下合成含硼金刚石单晶.用数字电桥和自制的电阻测量夹具测量了含硼金刚石单晶的电阻;用阴极射线发光光谱测量了金刚石单晶的光子频数;用XRD检测了不同硼含量掺杂的金刚石单晶的晶体结构.结果表明:随着触媒中碳化硼添加量的增加,含硼金刚石单晶的电阻率降低,可呈现半导体电阻特性.其原因是硼元素的掺入促进了金刚石单晶的(111)晶面生长,使受主能级提高,晶体的带隙变窄,载流子浓度提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田斌	山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室	15	54	4.0	7.0