荫罩式等离子体显示板寻址放电延迟时间的研究

• 作者: 屠彦 朱振华 李青 杨兰兰 王保平
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 荫罩式等离子体显示板 高氙浓度 寻址形成性延迟 寻址统计性延迟
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 122-127
• 页数: 6页
• 分类号: TN136
• 字数: 3254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.02.05

摘要

高氙浓度是提高等离体显示器亮度和发光效率的有效手段,但必须关注高氙比例对寻址放电延迟的影响.本文采用7英寸小屏实验平台研究氙比例增加对寻址放电延迟的影响,分析了氙比例增加,寻址电压和维持电压变化条件下,寻址放电的形成性延迟和统计性延迟的变化规律.研究结果表明寻址形成性延迟随寻址电压和维持电压的增加而减小,随氙比例的增加而增加,寻址形成性延迟时间与电子在一个平均自由程内获得的电场能量成反比.而寻址统计性延迟随寻址电压、维持电压的变化基本保持不变,随氙比例的变化规律性不明显,说明氙比例不是寻址统计性延迟的主要影响因素.研究表明荫罩式等离子体显示屏即使在50%氙比例时,仍可实现1.6μs的寻址.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠彦	东南大学电子科学与工程学院显示中心	87	325	8.0	13.0
2	杨兰兰	东南大学电子科学与工程学院显示中心	52	168	7.0	10.0
3	李青	东南大学电子科学与工程学院显示中心	48	161	7.0	9.0
4	王保平	东南大学电子科学与工程学院显示中心	70	304	9.0	13.0
5	朱振华	东南大学电子科学与工程学院显示中心	5	6	2.0	2.0