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摘要:
由于导电沟道一源/漏电极界面处可能发生的载流子带间隧穿,传统类金属氧化物半导体(MOS )碳纳米管场效应管呈现双极性传输特性,极大影响了器件性能的提高及其在电路中的应用.为获得具有理想单极性传输特性的类M OS碳纳米管场效应管,本文提出了一种基于双栅材料的器件设计方法.
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文献信息
篇名 一种基于双栅材料的单极性类金属氧化物半导体碳纳米管场效应管设计方法
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 双栅材料 碳纳米管场效应管 带间隧穿 双极性传输
年,卷(期) 2010,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 5010-5017
页数 分类号 O4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张民选 国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理重点实验室 63 351 9.0 16.0
2 方粮 国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理重点实验室 15 32 3.0 5.0
3 周海亮 国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理重点实验室 1 5 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
双栅材料
碳纳米管场效应管
带间隧穿
双极性传输
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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