KSi能带结构及态密度的第一性原理研究

• 作者: 杨子义 郝正同
• 来源期刊: 井冈山大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: KSi 第一性原理 电子能带结构 态密度
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 38-40,58
• 分类号: O471.5
• 字数: 1510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8085.2010.05.009

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42 eV.详细讨论了KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝正同	绵阳师范学院物理与电子工程学院	7	68	2.0	7.0
5	杨子义	贵州大学理学院	11	68	2.0	8.0