适用于中国超宽带标准的0.18 μm-CMOS单边带混频器设计

• 作者: 张永琥 张海英 雷牡敏 高振东 黄水龙
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 0.18 μm-CMOS 高线性度 超宽带 SSB混频器 折叠 PMOS跨导级 并联峰化
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 281-285
• 分类号: TN432
• 字数: 3273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.03.007

摘要

基于0.18 μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器.对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求.结果表明,在6 GHz～9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大于0 dBm,ⅡP3大于10 dBm.电路核心面积0.35mm×0.65 mm,工作电压为1.8 V,直流电流10.6 mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	黄水龙	中国科学院微电子研究所	14	31	3.0	4.0
3	张永琥	中国科学院微电子研究所	2	2	1.0	1.0
4	高振东	中国科学院微电子研究所	2	2	1.0	1.0
5	雷牡敏	中国科学院微电子研究所	1	1	1.0	1.0