原子层沉积技术发展现状

• 作者: 《电子工业专用设备》编辑部
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜沉积 原子层沉积 原子气相沉积技术 原子层沉积设备
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 1-7,27
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 8779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.01.001

摘要

复杂的非平面结构基板形貌对传统的薄膜沉积技术产生了极大的挑战,不同类型的集成电路器件需要不同的生产技术,同时也对薄膜材料提出了不同的要求.为了突破现有材料的性能限制就要求开发具有更高性能的材料.原子层沉积(ALD)是一种可足以应对这些挑战的独特技术,它所沉积的薄膜具有极佳的均匀性、台阶覆盖率和(对薄膜图形的)保形性.介绍了原子层沉积技术原理、新一代逻辑组件所面临的课题、原子气相沉积技术AVD及原子层沉积设备现状.