Vishay Siliconix推出符合DrMOS 规定的SiC762CD新型器件

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: N沟道MOSFET 器件 信号优化 驱动IC Inc MLP PWM 二极管
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 100
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

Vishay Intertechnology．Inc．宣布推出集成的DrMOS解决方案——SIC762CD。在紧凑的PowerPAK MLP 6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。