SiC新型半导体器件及其应用

• 作者: 张进城 王剑屏 赵天绪 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: SiC分立器件 SiC集成电路 高温 大功率
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 157-162
• 页数: 6页
• 分类号: TN303
• 字数: 5824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2002.02.003

摘要

给出SiC半导体分立器件与集成电路的研究现状,分析了制约SiC半导体器件发展的主要问题,同时给出了SiC分立器件与集成电路的应用现状,并对其应用前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	王剑屏	西安电子科技大学微电子研究所	7	48	3.0	6.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
4	赵天绪	西安电子科技大学微电子研究所	23	88	6.0	8.0