TFT-LCD阵列腐蚀性缺陷分析

• 作者: 彭志龙 李丽 秦纬 薛建设
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: TFT-LCD 阵列 腐蚀 缺陷分析 SEM
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.006

摘要

在TFT-LCD的生产过程中,阵列金属被腐蚀是造成TFT-LCD产品缺陷(亮线、薄亮线等)的常见原因.文章对实际生产过程中阵列基板的一种典型腐蚀性缺陷,应用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子柬(FIB)和能谱仪(EDS)等工具,并且结合BO(Business Objects)、CIM(Computer Integrated Manufacturing)等数据统计软件进行了分析.确定了造成缺陷的原因是栅金属暴露在含氯元素的酸性气体中被腐蚀,还确定了酸性气体的泄露源,并且推断出其形成机理:腐蚀发生在栅金属刻蚀(Gate Etch)工艺和多层膜沉积(Multi-Deposition)工艺之间,随后的多层膜沉积工艺的抽真空过程促进了缺陷的进一步形成.另外,针对发生此种缺陷时的应急措施进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭志龙		2	8	2.0	2.0
2	李丽		2	11	2.0	2.0
3	薛建设		4	25	2.0	4.0
4	秦纬		1	6	1.0	1.0