IC生产线上离子注入剂量测试方法

• 作者: 杨富宝 程宏亮 金红杰 陈荣
• 来源期刊: 计量技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入剂量 MOS C-V法 扩展电阻探针 热波法
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 测量与设备
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 3068字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0771.2010.01.011

摘要

在IC生产线上,对离子注入剂量的监控非常重要.目前,离子注入剂量的测试方法有很多种,它们在测试原理、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异.本文重点介绍了MOS C-V法、扩展电阻探针(SRP)法和热波(TW)法的测试原理和测试过程,并比较分析了上述各种测试方法的优缺点,从而给实际工作中选择合适的测试方法监控离子注入剂量提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨富宝		3	0	0.0	0.0
2	金红杰		4	6	1.0	2.0
3	陈荣		1	0	0.0	0.0
4	程宏亮		1	0	0.0	0.0