HF在Cu(100)和SiO2(100)晶面吸附的蒙特卡罗模拟

• 作者: 丁俊杰 丁晓琴 刘艳 李磊
• 来源期刊: 计算机与应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: 巨正则蒙特卡罗 HF Cu(100)表面 SiO2(100)表面 吸附
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 659-662
• 分类号: O647.3
• 字数: 2916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4160.2010.05.021

摘要

HF 同固体表面的相互作用,在腐蚀、催化和电化学等领域都有重要的意义.为了研究在低温低压条件下,HF 在 Cu 和 SiO2晶体表面的吸附情况,本文采用巨正则蒙特卡罗(GCMC)模拟法,计算模拟 HF 在 Cu(100)和SiO2(100)晶体表面的吸附行为.结果表明:本文所模拟的属于物理吸附.在 150 K、46.62 Pa 以上时,HF 可以在 Cu 晶体表面上发生吸附,如压力降低,则吸附大大降低,在 100 K 以下、1 Pa 以上时,均能发生吸附.在相同条件下,HF 与SiO2 比与 Cu 晶面的吸附能力强,且更易发生物理吸附,在 150 K 以下,1 Pa 以上时,HF均可与SiO2晶面发生吸附.本文的结果为在低温低压下 HF 与 Cu 和SiO2 晶体表面的吸附实验提供一定的理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁晓琴		22	114	5.0	10.0
2	丁俊杰		19	106	5.0	9.0
3	刘艳		1	2	1.0	1.0
4	李磊		1	2	1.0	1.0