三辛胺修饰碳糊电极测定电子引脚中的Cr(Ⅵ)

• 作者: 周益明 王文昌 许娟 邓雪爽 陈智栋
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 碳糊电极 三辛胺 Cr(Ⅵ)
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告与研究简报
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: O657.1
• 字数: 2877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0720.2010.02.018

摘要

采用三辛胺(TOA)修饰碳糊电极(TOA/CPE)测定了Cr(Ⅵ)含量, 并考察了最佳的实验条件. 当富集时间为10 min, 富集介质为0.15 mol/L H_2SO_4时, TOA/CPE能够有效地富集Cr(Ⅵ). 以溶出伏安法测定Cr(Ⅵ), 在-0.45 V (vs. SCE)处有灵敏的还原峰, 峰电流与Cr(Ⅵ)浓度在5.0×10~(-7)～1.0×10~(-3) mol/L范围内呈现良好的线性关系. 干扰试验显示TOA/CPE对Cr(Ⅵ)具有高选择性, 能够在Cr(Ⅲ)浓度是Cr(Ⅵ) 600倍时准确测定Cr(Ⅵ), 检出限达3.4×10~(-9) mol/L (S/N=3). TOA/CPE测定了实际样品电子引脚中的Cr(Ⅵ), 实验结果与紫外分光光度法结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文昌	江苏工业学院化学工程系	19	123	7.0	10.0
2	陈智栋	江苏工业学院化学工程系	43	230	9.0	12.0
4	许娟	江苏工业学院化学工程系	7	62	4.0	7.0
6	周益明		2	10	1.0	2.0
9	邓雪爽	江苏工业学院化学工程系	2	22	1.0	2.0