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摘要:
n型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点,非常适合制作高效低成本太阳电池.结合PC1D模拟,对n型晶体硅太阳电池的最新研究成果进行了分析,指出n型晶体硅太阳电池要实现产业化必须先解决p型硅表面钝化、硼扩散和硼发射极金属化等问题.最后预测了n型晶体硅太阳电池的产业化前景.
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文献信息
篇名 n型晶体硅太阳电池最新研究进展的分析与评估
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 n型晶体硅 太阳电池 PC1D模拟
年,卷(期) 2010,(15) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 126-130
页数 分类号 TM91
字数 4253字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 沈辉 中山大学太阳能系统研究所 121 1808 24.0 37.0
2 杨灼坚 中山大学太阳能系统研究所 5 67 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
n型晶体硅
太阳电池
PC1D模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
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