氮化物MOCVD反应室流场的仿真与分析

• 作者: 周小伟 张进成 李志明 毕志伟 许晟瑞 郝跃
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN生长 MOCVD 数值仿真
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 226-231
• 页数: 6页
• 分类号: TB47
• 字数: 3474字
• 语种: 中文

摘要

在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关.通过分析涡旋产生的原因,对反应条件和反应室的几何条件作了进一步优化,发现在较低的反应室压强、较低的壁面温度和较大的气体入口半径条件下,能使涡旋明显减小,提高薄膜生长的均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	李志明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	16	2.0	3.0
3	张进成	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	65	5.0	7.0
4	许晟瑞	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	24	3.0	4.0
5	毕志伟	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	14	1.0	1.0