GaN-MOCVD系统反应室流场的数值仿真

• 作者: 李培咸 杜阳 白俊春 郝跃
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: GaN-MOCVD CFD 数值模拟
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 62-65
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1685字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.05.020

摘要

针对某高校自主研发的120型GaN-MOCVD系统反应室的流场,进行了计算流体力学(CFD)数值模拟.在模拟过程中,讨论分析了运行参数和反应室结构尺寸的变化对反应室内流场、压力场和温度场的影响及对工艺条件的优化.模拟结果表明,数值仿真对MOCVD设备的结构设计及调试运行具有重要的指导和辅助作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	杜阳	西安电子科技大学技术物理学院	2	13	2.0	2.0
3	李培咸	西安电子科技大学技术物理学院	36	324	10.0	17.0
4	白俊春	西安电子科技大学技术物理学院	3	15	2.0	3.0