新型半导体材料SiC在电力电子领域中的应用

• 作者: 刘继涛 叶华强 李龙 郝红利 闫民华
• 来源期刊: UPS应用
• 学科: 工学
• 关键词: 电力电子器件 半导体材料 电子领域 SIC 应用 集成电子器件 击穿场强 漂移速率
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 48-50
• 页数: 3页
• 分类号: TN303

摘要

近年来，以SiC为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高，击穿场强高，饱和电子漂移速率高，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，可广泛用于制造高温，高频，高功率，抗辐射，大功率和高密谋集成电子器件，文中介绍了SiC的发展背景，结构，主要性能参数和几种常用的SiC电力电子器件，并简要讨论了其发展前景。