微晶硅渐变带隙太阳电池的模拟计算研究

• 作者: 周炳卿 王立娟 那日苏 郝丽媛 韩兵
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 渐变带隙 微晶硅 太阳电池
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 76-79
• 分类号: TN302|TN36
• 字数: 3057字
• 语种: 中文

摘要

运用AMPS软件结合相关实验数据,利用微晶硅带隙与材料晶相比的关系,对pin型微晶硅薄膜太阳电池i层带隙渐变结构的总光生载流子产额、载流子复合速率等参数进行了模拟,并与普通pin型微晶硅薄膜太阳电池进行了对比分析.结果表明,一方面带隙渐变结构增加了进入微晶硅i层作为活性层的光吸收;另一方面渐变各层之间存在缺陷和复合中心,影响载流子收集.对于带隙递增型微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池,当i层总厚度为1.2μm时.其光电转化效率为14.843%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周炳卿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	45	134	6.0	8.0
2	郝丽媛	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	4	7	2.0	2.0
3	王立娟	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	6	20	3.0	4.0
4	韩兵	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	4	7	2.0	2.0