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激光照射原位生成SiC晶须时粘结剂对晶须的影响
激光照射原位生成SiC晶须时粘结剂对晶须的影响
作者:
袁鑫
赵剑峰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
激光照射
原位生长
SiC晶须
粘结剂
摘要:
进行了含粘结剂和不含粘结剂的SiC纳米颗粒激光照射原位生成SiC晶须的比对试验,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶须的相组成和微观形貌,研究了粘结剂对生成晶须的影响.结果表明,在适当的激光参数下,不含粘结剂和含粘结剂的样品中均有晶须生成,不含粘结剂样品中晶须数量较少,而含粘结剂样品中晶须数量众多,且尺寸、形态各异.SiC纳米颗粒中掺入粘结剂可大幅度提高SiC晶须的生成数量,但并不影响晶须的纯度.
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篇名
激光照射原位生成SiC晶须时粘结剂对晶须的影响
来源期刊
功能材料
学科
工学
关键词
激光照射
原位生长
SiC晶须
粘结剂
年,卷(期)
2010,(4)
所属期刊栏目
研究与开发
研究方向
页码范围
630-631,636
页数
分类号
TB321
字数
2016字
语种
中文
DOI
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姓名
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1
赵剑峰
南京航空航天大学机电学院
78
1175
20.0
30.0
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南京航空航天大学机电学院
3
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原位生长
SiC晶须
粘结剂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
功能材料
主办单位:
重庆材料研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-9731
CN:
50-1099/TH
开本:
16开
出版地:
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
邮发代号:
78-6
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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