组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响

• 作者: 刘庆峰 刘茜 张静玉 施尔畏 陈义 陈之战 黄维
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 组合材料方法
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 3466-3472
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18 nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10 nm增加到160 nm,肖特基接触的电流-电压(I-V)曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ΦB的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测试表明,Ni膜厚为30至70 nm范围时能稳定得到性质较好的欧姆接触.证实了之前认为Ni/SiC高温退火后富碳层存在一个合适范围以形成良好欧姆接触的结论.