不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响?

• 作者: 卢吴越 张永平 石旺舟 程越 谈嘉慧 陈之战
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: SiC 欧姆接触 快速热退火 脉冲激光辐照退火
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 067303-1-067303-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.067303

摘要

采用快速热退火(rapid thermal annealing, RTA)法和脉冲激光辐照退火(laser spark annealing, LSA)法,在n型4H-SiC的Si面制备出Ni电极欧姆接触.经传输线法测得RTA样品与LSA样品的比接触电阻分别为5.2×10?4?·cm2,1.8×10?4?·cm2.使用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱等表征手段,比较了两种退火方式对电极表面形貌、电极/衬底截面形貌和元素成分分布、SiC衬底近表层碳团簇微结构的影响.结果表明,相比于RTA, LSA法制备出的欧姆接触在电极表面形貌、界面形貌、电极层组分均匀性等方面都具有明显优势,有望使LSA成为一种非常有潜力的制备欧姆接触的退火处理方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石旺舟	上海师范大学光电材料与器件实验室	17	21	3.0	3.0
2	陈之战	上海师范大学光电材料与器件实验室	9	11	2.0	3.0
3	张永平	上海师范大学光电材料与器件实验室	5	7	2.0	2.0
4	卢吴越	上海师范大学光电材料与器件实验室	3	6	2.0	2.0
5	程越	上海师范大学光电材料与器件实验室	3	6	2.0	2.0
6	谈嘉慧	上海师范大学光电材料与器件实验室	4	6	2.0	2.0