CdSe薄膜的溶剂热制备及其光电化学性能研究

• 作者: 张文涵 李静 贾会敏 郑直 陈雪武 雷岩
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 工学
• 关键词: CdSe纳米晶 苄胺 溶剂热 光电化学性能
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 42-43,60
• 分类号: TB383
• 字数: 2022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2011.03.013

摘要

以CdCl2.2.5H2O为镉源,以Se粉为硒源,在苄胺体系中,180℃溶荆热条件下制备了CdSe纳米晶薄膜.并用XRD、SEM、TEM、UV-vis等对产物进行了一系列的表征,结果表明在该条件下可以得到粒径在10～20nm、较为均匀的CdSe纳米晶薄膜.同时在标准的三电极体系下,测试了CdSe纳米晶薄膜电极的光电化学性能.在光强32mW/cm2的模拟太阳光的照射下,该电极的开路电压(Voc)为0.395V,光电流密度(Isc)为0.951mA/cm2,填充因子(FF)为0.51,该电池的光电转化效率η为0.6%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李静	许昌学院表面微纳米材料研究所	58	215	7.0	11.0
2	雷岩	许昌学院表面微纳米材料研究所	8	4	1.0	1.0
3	贾会敏	许昌学院表面微纳米材料研究所	12	34	5.0	5.0
4	郑直	许昌学院表面微纳米材料研究所	19	63	5.0	7.0
5	张文涵	许昌学院化学化工学院	2	2	1.0	1.0
6	陈雪武	许昌学院化学化工学院	2	2	1.0	1.0