NAND Flash存储的坏块管理方法

• 作者: 吴云峰 孙长胜 舒文丽 赵启义
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: NAND Flash 坏块管理 坏块替换 ECC纠错 FAT文件系统
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 580-583
• 分类号: TN401
• 字数: 2664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.05.024

摘要

针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法.在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不断更新和读取寄存器的内容,这样就可以实现坏块的管理.实验证明,本方法可以大大减小所需寄存器的大小并节省了FPGA资源,经过对坏块的管理,可以使数据存储的可靠性有很大的提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵启义	电子科技大学光电信息学院	6	53	3.0	6.0
2	吴云峰	电子科技大学光电信息学院	106	653	13.0	18.0
3	舒文丽	电子科技大学光电信息学院	3	71	3.0	3.0
4	孙长胜	电子科技大学光电信息学院	3	90	3.0	3.0