槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析

• 作者: 战可涛 李俊楠
• 来源期刊: 北京化工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 绝缘栅双极型晶体管 阈值电压 击穿电压 开关特性
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 机电工程和信息科学
• 页码范围: 104-108
• 分类号: TN386
• 字数: 2904字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4628.2011.06.020

摘要

运用半导体物理理论和功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD),研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性,模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线,并分析了漂移层和缓冲层厚度及掺杂浓度对电学特性的影响.结果表明,当SiC-IGBT功率器件漂移层和缓冲层厚度分别为65 μm和2.5 μm,掺杂浓度分别为1×1015和5×1015 cm-3时,得到击穿电压为3400V,阈值电压为8V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	战可涛	北京化工大学理学院	18	139	6.0	11.0
2	李俊楠	北京化工大学理学院	2	0	0.0	0.0