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摘要:
提出了一种新的基于前向通路结构的高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)结构,具有全负载范围内PSRR高、通路对系统稳定性影响小、电流效率高等特点.采用chart 0.35μm 5 V CMOS工艺进行电路设计仿真.后仿真结果表明,全负载范围内最差线性调整率为633μV/V.1 kHz处PSRR为76 dB@IL=10 mA.与以往高PSRR LDO相比,所提出的LDO可以在更大的负载电流范围内保持高PSRR.
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文献信息
篇名 一种新型高电源抑制比的低压差线性稳压器
来源期刊 复旦学报:自然科学版 学科 工学
关键词 低压差线性稳压器 前向通路 电源抑制比
年,卷(期) 2011,(4) 所属期刊栏目 微电子科学与工程
研究方向 页码范围 457-461,469
页数 6页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周锋 25 84 5.0 7.0
2 黄圣专 1 0 0.0 0.0
3 赵喆 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
低压差线性稳压器
前向通路
电源抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
复旦学报(自然科学版)
双月刊
0427-7104
31-1330/N
16开
上海市邯郸路220号
4-193
1955
chi
出版文献量(篇)
2978
总下载数(次)
5
总被引数(次)
22578
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