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硅应力非均匀氧化影响因素及其在纳米孔制作中的应用
硅应力非均匀氧化影响因素及其在纳米孔制作中的应用
作者:
何利文
刘勇
向伟玮
张秋萍
文莉
褚家如
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硅
应力
非均匀氧化
纳米孔
摘要:
在微等离子体无掩模加工研究中,单晶硅在分布应力作用下的非均匀氧化现象决定了采用各向同性刻蚀得到氧化硅空心针尖纳米孔的可行性和可靠性.以V型槽为对象,研究了单晶硅在槽尖端的非均匀氧化现象.利用高温下氧化硅的黏弹性特性,建立了硅在几何约束导致的分布应力作用下的热氧化模型.该模型表明,应力通过抑制氧元素在氧化硅层中的扩散和氧化反应速率来抑制氧化进行,从而非均匀的应力分布造成了非均匀的氧化层厚度.实验证明,硅在应力作用和几何约束下的热氧化,当氧化层厚度仅为160 nm时,不同温度下的厚度非均匀性基本一致,为72%左右;而当氧化厚度增长为1.1μm时,低温与高温下的厚度非均匀性差距显著增大,分别为42%和100%.分析表明,氧化层厚度非均匀性是应力生成与应力释放过程的综合作用结果,受到氧化温度和氧化时间两个可控因素的共同影响.在此基础上,利用硅在950℃下10 h的应力非均匀氧化及后续稀释氢氟酸的各向同性刻蚀成功制作出空心针尖阵列尖端直径为50 nm ~200 nm的纳米孔.
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内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
硅应力非均匀氧化影响因素及其在纳米孔制作中的应用
来源期刊
纳米技术与精密工程
学科
工学
关键词
硅
应力
非均匀氧化
纳米孔
年,卷(期)
2011,(4)
所属期刊栏目
纳米技术
研究方向
页码范围
316-321
页数
分类号
TN305.5
字数
4675字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-6030.2011.04.006
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
褚家如
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
76
566
14.0
19.0
2
刘勇
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
211
1777
22.0
33.0
3
张秋萍
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
6
13
2.0
3.0
4
文莉
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
18
49
4.0
6.0
5
向伟玮
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
4
19
2.0
4.0
6
何利文
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
3
5
2.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
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(/年)
引文网络
引文网络
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共引文献
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节点文献
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同被引文献
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参考文献(1)
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参考文献(1)
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参考文献(2)
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2008(1)
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参考文献(1)
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2011(2)
参考文献(1)
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二级引证文献(0)
2011(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
硅
应力
非均匀氧化
纳米孔
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
纳米技术与精密工程(英文)
主办单位:
天津大学
中国微米纳米技术学会
出版周期:
季刊
ISSN:
1672-6030
CN:
12-1458/03
开本:
出版地:
天津市南开区卫津路92号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
eng
出版文献量(篇)
1315
总下载数(次)
2
总被引数(次)
8103
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国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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