掩膜对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响

• 作者: 刘英明 徐晨 沈光地 王宝强 解意洋
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 掩膜 光子晶体 感应耦合等离子体(ICP) GaAs
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 精密加工
• 页码范围: 279-282
• 分类号: TN16
• 字数: 2485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2011.03.019

摘要

结合刻蚀GaAs基光子晶体在光子晶体垂直腔面发射激光器中的应用,研究了光刻胶、SiO2掩膜的特性以及对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响,并分析了ICP刻蚀小尺寸光子晶体时,造成底面凹凸不平、侧壁粗糙、垂直度差的原因.最后,调整工艺条件,利用BP212-7CP光刻胶做掩膜,成功制作了直径为1.2～4.0μm、深度为1.5μm的侧壁光滑垂直、底面平整的高质量光子晶体结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨	北京工业大学北京市光电子技术实验室	63	295	9.0	13.0
2	沈光地	北京工业大学北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
3	解意洋	北京工业大学北京市光电子技术实验室	6	19	3.0	4.0
4	王宝强	北京工业大学北京市光电子技术实验室	2	6	1.0	2.0
5	刘英明	北京工业大学北京市光电子技术实验室	2	6	1.0	2.0