砷化镓太赫兹光导天线的制备及性能研究

• 作者: 刘红 支娜 陈霄
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓光导天线 太赫兹电磁波 皮秒电脉冲
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 339-343
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2011.03.018

摘要

用半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料制备了太赫兹(THz)光导天线和天线阵列,其电极间隙分别为50 μm、100 μm、150 μm.用THz时域光谱系统(THz- Time domain system)测试和比较了三种不同电极间隙天线的THz辐射性能,研究了电极间隙的大小对光导天线辐射THz性能影响.实验表明相同衬底材料、几何结构和制作工艺的天线,辐射出的THz电磁波的频谱基本相同,与电极间隙无关;光导天线THz电磁波远场辐射强度与外加偏置电场和天线的有效辐射面积成正比.光导天线阵列在相同的偏置电场以及相同激光光源的情况下比常规光导天线有更强的辐射THz波的能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	支娜	西安理工大学自动化与信息工程学院	21	220	7.0	14.0
2	刘红	西安理工大学自动化与信息工程学院	6	18	3.0	4.0
3	陈霄	西安理工大学自动化与信息工程学院	9	9	2.0	2.0