基于电流致重结晶的Poly-Si纳米薄膜电阻电学修正特性

• 作者: 刘晓为 崔虹云 揣荣岩 施长治 李智
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅 纳米薄膜 电学修正 电流致重结晶 薄膜厚度
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 11-15
• 分类号: O738
• 字数: 3639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2011.01.003

摘要

为了提高基于多晶硅纳米薄膜的压阻传感器的性能及成品率,对不同厚度多晶硅薄膜的电阻电学修正特性进行了研究.采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺,620 ℃下制备多晶硅薄膜.通过固相扩散法实现高掺硼,并基于光刻工艺制作成电阻.实验结果表明,在薄膜电阻上施加高于阈值的电流,可有效降低电阻值.薄膜厚度的变化改变了薄膜结晶度及晶粒尺寸,从而影响其修正阈值电流密度及修正速率.用所建立的晶界填隙原子-空位对模型对电学修正现象进行了理论分析,认为该现象是大电流激励产生的焦耳热导致晶界发生逐层重结晶,从而增大载流子迁移率的结果.研究表明,该方法可用于高掺杂多晶硅电阻的封装后调阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓为	哈尔滨工业大学航天学院	42	140	7.0	10.0
5	崔虹云	哈尔滨工业大学航天学院	75	184	6.0	11.0
7	揣荣岩	沈阳工业大学信息科学与工程学院	31	90	5.0	8.0
8	李智	哈尔滨工业大学航天学院	10	296	6.0	10.0
9	施长治	哈尔滨工业大学航天学院	1	1	1.0	1.0