碳硅共掺氮化铝的P型掺杂效率研究

• 作者: 孟姝 武红磊 郑瑞生 黄俊毅
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体材料 掺杂 第一性原理计算 氮化铝 受主能级 电阻率
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 109-112
• 分类号: O471.5|O474
• 字数: 2921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2618.2011.02.003

摘要

采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(л=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0.19 eV,比单个碳受主低0.28 eV.利用碳硅共掺方法,在实验上制备出空穴浓度为1.4×1014cm-3、迁移率为52 cm2/(V·s)的p型氮化铝晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑瑞生	深圳大学光电工程学院	14	70	5.0	8.0
2	武红磊	深圳大学光电工程学院	9	42	4.0	6.0
3	孟姝	深圳大学光电工程学院	2	12	2.0	2.0
4	黄俊毅	华南师范大学光电子材料与技术研究所	12	38	3.0	5.0