TATB基PBX纳米孔隙的正电子湮没寿命谱

• 作者: 张伟斌 杜宇 杨仍才 田勇
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高能物理学 TATB基PBX 压制 纳米孔隙 正电子湮没寿命谱
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 200-203
• 分类号: TJ55|O572
• 字数: 3204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2011.02.017

摘要

为研究压制参数对TATB基高聚物粘结炸药(PBX)微观结构的影响,压制了密度为1.6～1.9 g·cm-3的PBX,采用了正电子湮没寿命谱(PALS)技术表征了其微观结构,讨论了不同压制密度PBX的纳米孔隙的变化.结果显示:压制密度越大,PBX中纳米孔隙浓度越小,平均尺寸越大,这表明压制过程中,PBX界面孔隙不断减小,TATB晶体内部孔隙却不断增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟斌	中国工程物理研究院化工材料研究所	51	259	10.0	13.0
2	田勇	中国工程物理研究院化工材料研究所	45	214	8.0	12.0
3	杨仍才	中国工程物理研究院化工材料研究所	6	24	3.0	4.0
4	杜宇	中国工程物理研究院化工材料研究所	6	38	4.0	6.0