（Ga）12N,（Ga）12B荷电团簇的电子结构与磁性

• 作者: 代武春 李顺江
• 来源期刊: 重庆文理学院学报：自然科学版
• 学科: 化学
• 关键词: (Ga)12B (Ga)12N荷电团簇 密度泛函 电子结构 磁性
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: O651

摘要

基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似（GGA）研究20面体（Ga）12B,（Ga）12N荷电团簇的电子结构与磁性,系统计算了束缚能BE、中心原子到表面原子的间距、最高占据轨道（HOMO）、最低未占据轨道（LUMO）及其能隙,分析了（Ga）12B,（Ga）12N荷电团簇表面到中心原子间距、束缚能和HOMO与LUMO间的能隙随掺杂原子掺杂位置、带电情况不同的变化.研究表明,具有Ih对称性结构的荷电团簇更稳定,统除Ih对称性结构（Ga）12B1＋荷电团簇有磁性外,其它均无磁性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	代武春	重庆文理学院物理系	25	46	4.0	6.0
2	李顺江	重庆文理学院物理系	12	14	2.0	3.0