发展中的GaN微电子（二）

• 作者: 赵正平
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 微电子 HEMT器件 GaAs 二维电子 高功率密度 可靠性 SiC
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 353-357
• 分类号: TN304.23
• 字数: 4043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2011.04.006

摘要

2.1可靠性研究的进展 在半绝缘SiC衬底上形成的GaNHEMT器件在高功率密度、高压工作、高的二维电子器浓度和高导热等方面均比GaAs有优势,但由于本征的材料与二维电子器形成所独有的特性也同时使它面临和GaAs不一样的、独具特色的

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平		46	197	7.0	12.0