一种指数掺杂的砷化镓平面肖特基变容二极管的设计与制作

• 作者: 张海英 杨浩 田超 董军荣 黄杰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 变容管 指数掺杂 肖特基结
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 29-32
• 分类号: TN385
• 字数: 2575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.01.007

摘要

利用标准微电子工艺研制出了一种可以应用于微波倍频电路中的肖特基势垒变容二极管,采用平面结构的制作工艺,克服了传统制作工艺的不易集成的缺点.并且在N型层的掺杂浓度呈指数规律,使变容管的变容比高于传统的均匀掺杂结构,有利于提高倍频电路的工作频率和输出功率.采用台面隔离工艺以形成分别用于制作肖特基接触和欧姆接触的两个台面.经过测试,得到-6V～0.5V电压下的电流特性和-4V～0.2V电压下的电容特性曲线.变容比高达2.3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	杨浩	中国科学院微电子研究所	112	4085	31.0	63.0
3	田超	中国科学院微电子研究所	13	59	5.0	7.0
4	黄杰	中国科学院微电子研究所	21	283	8.0	16.0
5	董军荣	中国科学院微电子研究所	1	9	1.0	1.0