一种可实现多种高压器件的新型BCD工艺

• 作者: 李泽宏 邓光平 钱振华
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: RESURF LDMOS 多区JFET BCD工艺
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 31-33
• 页数: 3页
• 分类号: TN624

摘要

在标准CMOS平台上,开发出一种自隔离的新型BCD工艺。利用场氧层的阻挡,通过高能注入直接形成高压器件的表面P型降场层,从而减少了所需掩模板数量。该工艺也采用了深N阱的高能离子注入及多步注入形成的倒置阱,可减少长时间热过程带来的工艺偏差和时间成本。结果表明,该工艺在实现器件性能的同时,降低了成本,提高了可靠性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李泽宏	电子科技大学功率集成技术实验室	32	111	6.0	8.0
2	钱振华	电子科技大学功率集成技术实验室	2	0	0.0	0.0
3	邓光平	电子科技大学功率集成技术实验室	2	0	0.0	0.0