DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作

• 作者: 司旭 张万里 彭斌 李言荣 王超杰 蒋洪川
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜电阻器 驻波比 TaN薄膜
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 74-77
• 分类号: TM544
• 语种: 中文

摘要

设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器.仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃.实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25～125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	115	824	15.0	21.0
2	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
3	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
4	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
5	王超杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	28	3.0	5.0
6	司旭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	24	3.0	4.0