曲面硅太阳电池制备及性能分析

• 作者: 何兴道 杨名宇 王庆 肖文波
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 曲面硅太阳电池 制备方法 性能
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 303-304
• 分类号: TM914.4
• 字数: 617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2011.03.021

摘要

随着太阳电池的广泛应用,制备曲面硅太阳电池组件成为目前的一种应用趋势.但由于硅材料的机械性能使得其对于曲面电池组件制作存在困难,且效率较低.提出了一种任意曲面硅太阳电池组件制作方法,并通过太阳电池表面加装减反射软膜来提高其性能.实验测试曲面硅太阳电池的结果,显示其开路电压为1.945 V,短路电流为2.478 A,性能优于异质结Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆	南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室	31	104	5.0	8.0
2	何兴道	南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室	83	415	10.0	17.0
3	肖文波	南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室	36	128	6.0	10.0
4	杨名宇	南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室	6	7	2.0	2.0