MFS结构钛酸铋铁电薄膜掺铌改性研究

• 作者: 万莉莉 左伟华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 铁电存储器 钛酸铋 溶胶-凝胶工艺 B位掺杂 铌元素
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 494-497
• 分类号: TB34
• 字数: 2864字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.05.003

摘要

基于MFS结构铁电存储器的需要,采用溶胶-凝胶工艺,在p-Si衬底上制备了对Bi4Ti3O12进行B位Ti元素铌元素取代的铁电薄膜,并电镀上银电极构成MFS结构.研究了掺杂浓度对薄膜的微观结构及铁电性能的影响.研究表明,650℃进行退火的BTN薄膜生长形态良好；2％掺杂取代的薄膜铁电性能最佳,剩余极化强度Pr可达到19.01μC/cm2,矫顽场为200 kV/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左伟华	湖南省怀化学院物理与信息工程系	2	0	0.0	0.0
2	万莉莉	湖南省怀化学院物理与信息工程系	2	0	0.0	0.0