BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究

• 作者: 张颖 易图林 谢艳丁
• 来源期刊: 空军雷达学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜 铁电性能 电流-电压特性 脉冲准分子激光沉积
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 电子技术与应用
• 页码范围: 279-281,284
• 页数: 4页
• 分类号: TM22
• 字数: 2735字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-8691.2006.04.013

摘要

为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层结构铁电薄膜,测量和分析了它的I-V特性曲线.结果表明,这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能,为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张颖	空军雷达学院基础部	6	26	3.0	5.0
2	谢艳丁	空军雷达学院基础部	6	16	2.0	3.0
3	易图林	空军雷达学院基础部	6	10	2.0	3.0