MFSM结构铁电薄膜系统I-V特性研究

• 作者: 于军 任鸣放 刘毅 王华
• 来源期刊: 桂林电子工业学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PZT铁电薄膜 BIT铁电薄膜 I-V特性 PLD法
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2456字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-808X.1999.04.008

摘要

为制备符合铁电场效应晶体管(FFET)及铁电存储二极管(FMD)要求的高质量铁电薄膜,采用激光脉冲沉积方法(PLD)制备了Au/PZT/p-Si/Au和Au/PZT/BIT/p-Si/Au多层结构的两种铁电薄膜系统.分析表明,在不同的电压范围,起主导作用的导电机制不同:电压低于1V时,漏电流遵循欧姆定律,电压在2.2～3.0V时,空间电荷限制电流(SCLC)占主导地位.I-V特性曲线的结果表明Au/PZT/BIT/p-Si/Au结构比Au/PZT/p-Si/Au结构的漏电流密度低两个数量级,I-V特性曲线回滞窗口增大0.3V,这说明PZT铁电薄膜与Si衬底之间加入BIT铁电层有助于降低漏电流密度,增大I-V回线的回滞窗口.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘毅	桂林电子工业学院计算科学与应用物理系	22	54	4.0	6.0
2	于军	华中理工大学电子科学与技术系	13	68	5.0	7.0
3	任鸣放	桂林电子工业学院计算科学与应用物理系	10	74	4.0	8.0
4	王华	华中理工大学电子科学与技术系	3	20	2.0	3.0