Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电 存储二极管I-V 特性

• 作者: 于军 周文利 王华 王耘波 董晓敏 赵建洪 郑远开
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二极管 I-V特性 PLD
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 203-207
• 页数: 5页
• 分类号: TN313+.7
• 字数: 2806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.019

摘要

采用脉冲激光沉积方法（PLD）制备了Au/PZT/BIT/p-Si多层结构铁电存储二极管.对铁电存储二极管的P-E电滞回线、I-V特性曲线分别进行了测试与分析，并对其导电行为及基于I-V特性回滞现象的存储机理进行了讨论.实验表明，所制备的多层铁电薄膜具有较高的剩余极化（27μC/cm2）和较低的矫顽场（48kV/cm），BIT铁电层有助于缓解PZT与Si衬底之间的界面反应和互扩散，减少界面态，与Au/PZT/p-Si结构相比，漏电流密度降低近两个数量级，I-V特性曲线回滞窗口明显增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中理工大学电子科学与技术系	13	68	5.0	7.0
2	董晓敏	华中理工大学电子科学与技术系	3	22	2.0	3.0
3	周文利	华中理工大学电子科学与技术系	11	50	4.0	6.0
4	王耘波	华中理工大学电子科学与技术系	7	19	2.0	4.0
5	郑远开	华中理工大学电子科学与技术系	5	12	2.0	3.0
6	赵建洪	华中理工大学电子科学与技术系	1	1	1.0	1.0