苯基单分子器件I-V特性的研究

• 作者: 李娜 蔡敏
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 紧束缚近似 模拟 分子器件 I-V特性
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 55-57
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 1072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.06.018

摘要

采用紧束缚近似的方法,研究了由单苯基分子构成的三端器件的I-V特性.所得结果近似表现出了MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)器件的电学规律;同时模拟并讨论了该器件的I-V特性随温度变化的规律,发现:电流幅值随门电压的增大而增加,温度对电流幅值有重要影响.所得结论为分子器件和纳米器件的开发,提供了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡敏	华南理工大学物理科学与技术学院	47	250	10.0	13.0
2	李娜	华南理工大学物理科学与技术学院	51	219	8.0	12.0