MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响

• 作者: 方家熊 李言谨 胡晓宁
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: I-V特性 金属-碲镉汞接触 碲镉汞光伏器件
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 165-168
• 页数: 4页
• 分类号: TN21
• 字数: 2460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.03.002

摘要

根据金属-碲镉汞接触的基本电流-电压关系,深入讨论了金属-半导体(MS)接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响,并对实际器件的测量数据进行了分析比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓宁	中国科学院上海技术物理研究所	31	241	9.0	14.0
2	李言谨	中国科学院上海技术物理研究所	24	187	8.0	13.0
3	方家熊	中国科学院上海技术物理研究所	39	184	7.0	11.0