变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究

• 作者: JIA Jia 李向阳 陈新禹 龚海梅
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 变磁场 I-V测试 短波红外 碲镉汞光伏器件 少子扩散长度
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 140-142
• 页数: 3页
• 分类号: TN215
• 字数: 2115字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.02.014

摘要

零偏压电阻-面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg 1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法.利用变磁场下的电流-电压(I-V)测试,得到了组分x在0.5与0.6之间的器件R0A和J0随磁场强度B变化的函数关系.由实验结果估算得到了室温工作的短波红外(SWIR)碲镉汞光伏器件的少子扩散长度.其数值与用激光诱导电流(LBIC)方法得到的相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈新禹	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	6	59	5.0	6.0
2	龚海梅	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	69	451	10.0	18.0
3	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	110	438	10.0	14.0
4	JIA Jia	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0