长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数

• 作者: 兰添翼 刘诗嘉 李向阳 王妮丽 赵水平
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 MIS 钝化
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 132-135
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2013.00132

摘要

通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的“长波弱P”型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析,获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数,计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	110	438	10.0	14.0
2	王妮丽	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	6	10	2.0	3.0
6	刘诗嘉	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	2	6	2.0	2.0
7	兰添翼	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	2	6	2.0	2.0
8	赵水平	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	2	6	2.0	2.0